logo
Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > เซรามิกคาร์ไบด์ซิลิคอน > Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น

ชื่อแบรนด์: Dayoo

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ปรับแต่ง

ราคา: CNY

รายละเอียดการบรรจุ: บรรจุุภัณฑ์

เวลาการส่งมอบ: 60 วันทำการ

สามารถในการผลิต: โรงงาน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
การนำความร้อนสูง:
ใช่
ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน:
ดี
อุณหภูมิสูงสุด:
1380 ℃
แรงดัดงอ:
280 เมกะปาสคาล
ความบริสุทธิ์:
98%
แรงอัด:
> 2 เกรดเฉลี่ย
การนำความร้อนสูง:
ใช่
ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน:
ดี
อุณหภูมิสูงสุด:
1380 ℃
แรงดัดงอ:
280 เมกะปาสคาล
ความบริสุทธิ์:
98%
แรงอัด:
> 2 เกรดเฉลี่ย
Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด