เซรามิกซิลิคคาร์ไบดที่ให้ความทนทานต่อการกระแทกทางความร้อน และความมั่นคงในอุณหภูมิสูง สําหรับในอบการเติบโตของคริสตัลครึ่งประสาท

Silicon Carbide (SiC) Precision Ceramics are high-performance industrial ceramic materials manufactured using high-purity SiC powder (purity ≥ 98%) through advanced forming and high-temperature sintering processesวัสดุเหล่านี้มีความทนทานต่อการกระแทกทางความร้อนอย่างดีเยี่ยม ความมั่นคงในอุณหภูมิสูง และความทนทานต่อการกัดกร่อนอย่างแข็งแรงทําให้พวกมันเป็นส่วนประกอบสําคัญสําหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้พลังงานอุณหภูมิระดับสูง ที่ทํางานในสภาพที่รุนแรงจาก 1600-1900 °C.

• ผนังเตาอบอุณหภูมิสูง:เหมาะสําหรับเตาอบปะทะ SiC, เตาอบปะทะระแง/บรรยากาศ, เตาอบละลายแก้ว และโรงเผาผืนขยะอันตรายให้ความคุ้มกันความร้อนสูงและความทนทานต่อการกัดกร่อน
• หลอดป้องกันเทอร์โมคอปล์:ใช้ในเตาอบการเติบโตของคริสตัลครึ่งพัด, เตาอบละลายโลหะ, และเตาอบปั่นคาร์ไบด์ซีเมนต์การประกันการทํางานที่แม่นยําขององค์ประกอบการวัดอุณหภูมิ ภายใต้บรรยากาศที่ลด / อ่อนแอ

• ทนต่ออุณหภูมิสูงอุณหภูมิการละลาย > 2500 °C ภายใต้ความดันชั้นบรรยากาศ ความแข็งแรงในการบิดที่ 1400 °C ยังคงมากกว่า 70% ของความแข็งแรงในอุณหภูมิห้อง
• ความต้านทานแรงกระแทกทางความร้อน:มีสัดส่วนการขยายความร้อน 4.3-4.5 × 10−6/K สามารถทนต่ออัตราการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน > 500 °C
• ความทนทานต่อการกัดกรองและการสกัดทนต่อกรดแข็ง (ยกเว้นกรดไฮโดรอฟลูอริก) โลหะหลอม และการบดสนิม; ความแข็งระหว่าง 2400-2600 kg/mm2
• ความแม่นยําและความมั่นคง:ความแม่นยําในการเปรียบแบบสูง ผลิตภัณฑ์ที่ซินเตอร์โดยไม่ต้องแรงดันบรรลุความหนาแน่น ≥98% การนําความร้อนที่ดี (104-200 W/m*K)

Raw Material Pretreatment (Purification → Ball Milling) → Forming (Isostatic Pressing / Slip Casting / Extrusion) → High-Temperature Sintering (1400-2200°C) → Precision Machining (Grinding → Polishing) → Performance Testing (Strength / Corrosion Resistance Testing) → Finished Product Packaging

• ทําความสะอาดพื้นผิวสัมผัสก่อนการติดตั้ง เพื่อไม่ให้มีสารสกปรก
• หลีกเลี่ยงการเย็นหรือทําความร้อนอย่างฉับพลัน อัตราการทําความร้อน/ทําความเย็นควร ≤5°C/นาที
• ปรับความร้อนก่อนถึง 80 °C และเก็บไว้ 2 ชั่วโมง ก่อนใช้ในสภาพอากาศที่มีอุณหภูมิต่ํา (< 15 °C)
• ระวังให้ห่างจากสื่อที่สามารถกัดกรองได้อย่างแรง เช่นกรดไฮโดรฟลออริก